3월 29일 08:30까지 현재 확정된 시험범위까지 안내입니다.
과목명 | 학위과정 | 범위 | 시험진행학과 |
고체전자물리 | 석사 | Solid State Eletronics Devices, sixth edition, Ben G. Streetman, Sanjay Kumar Banerjee, chapter 3 ~5 | 전컴통(4/4) |
고체전자물리 | 박사 | Solid State Eletronics Devices, sixth edition, Ben G. Streetman, Sanjay Kumar Banerjee, chapter 3 ~5 | 전컴통(4/4) |
나노박막성장기술및소자응용 | 석박사 | Electronic
Thin Film :저자 King-Ning-Tu, 출판사 Macmillan 1-3장까지 | 나반(4/6) |
나노전자소자1 | 석박사 | - mobility, MOSFET, strain | 나반(4/6) |
나노전자소자2 | 석박사 | CMOS
Scaling Flash Memory DRAM | 나반(4/6) |
반도체공정 | 석박사 | 트랜지스터의 구조 | 나반(4/6) |
반도체소자 | 석박사 | Solid
State Electronic Device : by Ben G. Streetman - Chapter 5 : Forward and Reverse Biased Junctions - Chapter 6 : MOS Field Effect Transistor | 전컴통(4/4) |
나노반도체세미나2 | 석박사 | Next
generation memory technology ,DRAM | 나반(4/6) |
집적반도체소자제조기술 | 석박사 | -
Thin film 공정 - Lithography 공정 - Dry Etching 공정 - Cleaning 공정 - CMP 공정 | 나반(4/6) |
나노반도체공정1 | 석박사 | Principles
of Plasma Discharges and material processings -Lieberman | 나반(4/6) |
반도체및디스플레이제조공정 | 석박사 | *교재의 발행시기가 오래된 것이라 꼭 범위확인 체크하기 바랍니다. 김상수 공저, 디스플레이공학 1, 청범출판사 2000 5장 1절, 6장 3절 | 전컴통(4/4) |